未来工业存储新篇章：256KB铁电存储器F-RAM的卓越性能与广泛应用

在当今快速发展的工业和汽车领域，对于能够承受恶劣环境条件并提供可靠数据存储的解决方案的需求日益增长。随着智能制造和新能源汽车等新兴技术对关键数据存储的需求不断扩大，一种新型存储技术——铁电随机存取存储器（F-RAM）正以其卓越的性能和多样化的应用逐渐成为市场的焦点。本文将详细介绍256KB F-RAM的先进技术特性，以及它如何在保证数据完整性的同时，满足严苛工业环境的挑战。

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产品特点

■256-Kbit铁电随机存取存储器（F-RAM）逻辑组织为32 K × 8

❐ 高耐久性，可进行100万亿次（10^14）读写

❐ 数据保持期长达151年（详见数据保持和耐久性表格）

❐ NoDelay™写入

❐ 先进的高可靠性铁电工艺

■ 快速2线串行接口（I^2C）

❐ 最高频率可达1 MHz

❐ 可直接硬件替换串行（I^2C）EEPROM

❐ 支持100 kHz和400 kHz的旧版时序

■ 低功耗

❐ 在100 kHz时活动电流为100 μA

❐ 待机电流为15 μA（典型值）

■ 宽电压操作：VDD = 2.7 V至5.5 V

■ 工业温度范围：-40℃至+85℃

■ 8引脚小外形集成电路（SOIC）封装

功能描述

FM24W256 是一款采用先进铁电工艺的 256KB 非易失性存储器。铁电随机存取存储器或 F-RAM 是非易失性存储器，其读写功能与 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠数据保留，同时消除了 EEPROM 和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。

与 EEPROM 不同，FM24W256 以总线速度执行写入操作。不会产生写入延迟。每个字节成功传输到器件后，数据立即写入存储器阵列。无需数据轮询，即可开始下一个总线周期。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有很强的写入耐用性。此外，F-RAM 在写入过程中的功耗也比 EEPROM 低得多，因为写入操作不需要为写入电路提供内部升高的电源电压。FM24W256 能够支持 1014 次读/写循环，写循环次数是 EEPROM 的 1 亿倍。

这些功能使 FM24W256 成为需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用的理想选择。例如，数据记录（写入循环次数可能至关重要）和要求苛刻的工业控制（EEPROM 写入时间过长可能导致数据丢失）。FM24W256 集多种功能于一身，可以更频繁地写入数据，同时减少系统开销。

FM24W256 为串行 (I2C) EEPROM 的用户提供了大量优势，可作为硬件的直接替代品。器件规格在 -40 ℃ 至 +85 ℃ 的工业温度范围内得到保证。

产品应用

1.数据记录

由于FM24W256具有高达100万亿次的读写寿命,非常适合用于需要频繁写入数据的数据记录应用。例如:

工业控制系统中的参数记录

医疗设备中的患者数据记录

汽车电子中的行驶数据记录

2.嵌入式系统

FM24W256可作为嵌入式系统中的非易失性存储器,用于存储:

系统配置参数

校准数据