BY25Q256FSSIG：高性能SPI NOR Flash存储器详解

BY25Q256FSSIG是一款由BYTe Semiconductor（博亚半导体）生产的256Mbit容量的SPI NOR Flash存储器，具有多种先进的产品特性，适用于多种嵌入式存储应用。以下是该产品的详细介绍：

产品概述

BY25Q256FSSIG是一款基于串行外设接口（SPI）的非易失性存储器，容量为256Mbit（32MB），工作电压范围为2.7V至3.6V，支持标准SPI、Dual SPI、Quad SPI及QPI模式，能够满足高性能和低功耗的需求。

主要特性

1. 多种SPI接口模式支持

标准SPI：使用SCLK、/CS、SI、SO、/WP、/HOLD等信号线。

Dual SPI：支持双线数据传输，传输速率可达216Mbit/s。

Quad SPI和QPI模式：支持四线数据传输，传输速率高达432Mbit/s，支持双倍传输速率（DTR）读取，极大提升数据吞吐量。

2. 高速读写性能

读取速度：

标准读取频率最高可达55MHz。

快速读取频率最高可达100MHz。

Dual I/O模式下数据传输速率可达200Mbit/s。

Quad I/O和QPI模式下数据传输速率可达400Mbit/s。

写入性能：

支持页面编程，单页最大256字节。

支持程序挂起和恢复功能，提升写入灵活性。

擦除操作：

支持4KB扇区擦除、32KB/64KB块擦除以及整片擦除。

擦除时间分别为50ms（扇区）、150-250ms（块）和80秒（整片）。

3.灵活的存储架构

存储单元划分为4KB扇区和32KB/64KB块，方便用户根据应用需求进行管理和操作。

支持3字节和4字节地址模式，兼容不同容量的存储需求，3字节地址模式支持通过扩展寄存器访问256Mbit以上容量，4字节地址模式支持最大32Gbit容量。

4.低功耗设计

最大工作电流为25mA，适合嵌入式系统的功耗控制。

休眠模式下功耗低至5μA，延长电池寿命。

5.可靠性与安全性

支持软件和硬件写保护，包括3个512字节的安全寄存器和一次性编程（OTP）锁定功能。

支持块/扇区的高级保护机制，包含固态保护和密码保护。

具备典型100,000次的编程/擦除循环耐久性和20年的数据保持能力，确保数据长期安全。

6.工作环境与封装

支持工业级温度范围（-40℃至+85℃），适应各种严苛环境。

提供多种封装形式，包括8引脚SOP、WSON等，方便不同应用场景的集成。

7.其他功能

支持XIP（Execute In Place）功能，允许直接在Flash中执行代码，提升系统效率。

支持软件复位和硬件复位，保证设备在异常情况下快速恢复。

支持JEDEC标准制造商和设备ID，方便系统识别和管理。

应用领域

BY25Q256FSSIG适用于消费电子、工业控制、通信设备、智能家居、汽车电子等需要高速、低功耗和高可靠性的存储解决方案的场景。

综上所述，BY25Q256FSSIG以其高速的数据传输能力、灵活的接口模式、低功耗设计及高可靠性，成为嵌入式系统中理想的SPI NOR Flash存储器选择。

此外，作为领先的电子半导体分销商，UCC INDU GmbH致力于为客户提供全面的技术支持与优质服务。UCC INDU GmbH拥有丰富的行业经验和专业团队，可为客户提供包括BY25Q256FSSIG在内的一系列产品解决方案，助力客户实现更高效、更可靠的电力电子系统设计。如需了解更多信息或获取技术支持，请联系我们的团队。

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