斯达半导体推荐——P6 SiC MOSFET：为高效能源转换而生

P6 SiC MOSFET 功率模块是斯达半导体推出的一款高性能功率模块，在多个领域展现出卓越的性能，特别是在电动汽车、工业电力电子和可再生能源等应用中，具有广泛的适用性。

产品介绍

P6 SiC MOSFET 功率模块具有两种电压等级，分别为 1200V 和 750V。1200V 模块的 RDS(on)值包括 2.9mΩ 和 2.2mΩ，而 750V 模块的 RDS(on)值则为 1.7mΩ 和 1.3mΩ。这些模块内部采用多颗 SiC 芯片并联设计，并通过串联的门极电阻来确保各个芯片之间的电流均衡。为了避免振荡，模块采用了低电感设计，确保了系统的稳定性。在输出电流方面，1200V 模块的输出电流范围为 480A 至 640A，而 750V 模块的输出电流范围为 485A 至 630A。在制造工艺上，SiC 芯片采用了双面银浆烧结和铜线键合技术，这种工艺不仅提高了连接的可靠性，还优化了电气性能。此外，模块使用了氮化硅（Si3N4）作为绝缘基板，并配备了 PINFIN 散热基板，这些设计确保了优异的散热能力，有效降低了工作温度。值得一提的是，该模块已通过 175℃ AQG-324 可靠性认证，能够在高达 175℃ 的结温环境中长期稳定工作。

P6 SiC MOSFET功率模块可应用场景

在电动汽车领域，P6 SiC MOSFET 模块被广泛应用于主驱动逆变器、车载充电器和 DC/DC 转换器。其高效率特性使得电池的直流电能够高效地转换为电动机所需的交流电，从而提升续航里程。同时，SiC 材料的耐高温能力使得这些模块能够在极端环境下稳定工作，适应电动汽车的高温运行需求。此外，SiC MOSFET 的高功率密度设计使得模块体积和重量显著减小，有助于电动汽车的轻量化设计。

在工业电力电子应用中，P6 SiC MOSFET 模块可用于高效开关电源、逆变器和变频器。这些模块支持高开关频率，能够有效控制电机的启动、停止和速度调节，从而提高系统的能效和稳定性。模块的低电感设计有效避免了振荡问题，确保了系统的可靠性，适合各种工业设备的需求。

在可再生能源方面，P6 SiC MOSFET 模块在太阳能逆变器和风力发电变流器中发挥着重要作用。其低能量损耗特性使得电力转换效率大幅提升，能够有效将太阳能和风能转换为可用电力。这不仅提高了可再生能源系统的整体效率，还推动了环境友好的可持续发展。

总结

综上所述，P6 SiC MOSFET 功率模块凭借其高效率、耐高温和低损耗等优点，成为电动汽车、工业电力电子和可再生能源等领域不可或缺的重要组件，推动着现代电力电子技术的进步与应用。

STARPOWER作为领先的功率半导体解决方案提供商，专注于 IGBT 和 SiC 模块的研发、生产和销售。自 2005 年成立以来，斯达半导体凭借卓越的技术实力和创新能力，迅速成长为行业的佼佼者。产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、新能源等多个领域，致力于推动全球能源效率的提升。

关于P6 SiC MOSFET功率模块的常见问题及解答如下：

1.多个SiC MOSFET并联使用时需要注意什么？

需要考虑足够的电压去耦，以防止热失控

开关时序必须匹配，防止因击穿电压而损坏

阈值电压公差低有助于实现高度对称的开关行为

2.SiC MOSFET的栅极信号电感值有何要求？

虽然没有具体指南，但从器件栅极端子到栅极驱动电路PC端子的布线长度影响最大

还需考虑从器件源引脚到板接地图样的布线电感

3.SiC MOSFET的栅极电荷参数有何特点？

栅极电荷(QG)低可降低开关损耗和栅极驱动功耗

漏栅电荷(QGD)与栅源电荷(QGS)的比值也很重要，QGD应低于QGS以确保稳定性

4.SiC MOSFET的正向压降有何特点？

SiC的带隙是Si的3倍，导致pn二极管的上升电压大约增加3V

但在桥式电路中，由于换流时可输入栅极ON信号，所以实质性的稳态损耗不应成问题

5.与Si IGBT相比，使用SiC MOSFET有何变化？

可以实现高频工作，减小设备尺寸和重量，提高功率转换效率

关断损耗和导通损耗可分别降低65%

不需要外接二极管，可减小寄生电感，提高可靠性

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